PJD1NA50_L2_00001

Name: Panjit PJD1NA50_L2_00001
Brand: Panjit
Rating: 5 (19 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252AA-3
MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 33

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-252AA-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：TO-252
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
Время типичного задержки включения：8 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：25 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.010476 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：4.2 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：9 Ohms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：8 ns
Id - Непрерывный ток разряда：1 A
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：25W (Tc)
Состояние продукта：Not For New Designs
Серия：NFET-500SMN
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9Ohm @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：95 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.2 nC @ 10 V
Время подъема：20 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 33

Итого $0.00000