Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJA3431_R1_00001
Изображение служит лишь для справки
PJA3431_R1_00001
- Panjit
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Date Sheet
Lagernummer 673
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства:SOT-23
- Напряжение, классификация:100 V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
- Mfr:Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:1.25W (Ta)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1 V
- Распад мощности:1.25 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 8 V, + 8 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:1.7 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:325 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:1.5 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Допуск:1 %
- Коэффициент температурной зависимости:100 ppm/°C
- Сопротивление:13.5 Ω
- Максимальная рабочая температура:155 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Состав:Thin Film
- Мощность рейтинга:125 mW
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:325mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:165 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.7 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20 V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Характеристика ТРП:-
- Высота:650 µm
Со склада 673
Итого $0.00000