Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Тип крепления первого соединителя:Panel Mount
  • Второй тип крепления соединителя:Panel Mount
  • Второй контактный способ крепления:Bulkhead - Front Side Nut
  • Типы кабелей:RG-58
  • Половой контакт:Female
  • Пакет:Bag
  • Общий импеданс:50 Ohms
  • Основной номер продукта:Q-1S04K0
  • Mfr:Amphenol Custom Cable
  • Характеристика первого соединительного крепления:Bulkhead - Front Side Nut
  • Состояние продукта:Active
  • Второй контакт пол:Female
  • Частота-макс:6 GHz
  • Описание пакета:TO-220, 3 PIN
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:FQP10N20L
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Rochester Electronics LLC
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Ранг риска:5.35
  • Код упаковки компонента:TO-220AB
  • Максимальный ток утечки (ID):10 A
  • Рабочая температура:-
  • Серия:-
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Цвет:Black
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Защита от проникновения:-
  • Формат:N-Type to TNC
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:COMMERCIAL
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220AB
  • 1-й разъем:N-Type Jack, Right Angle
  • Второй разъём:TNC Jack
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.38 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:40 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:200 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):180 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристики:Shielded
  • Длина:118.1 (3.0m) 9.8

Со склада 0

Итого $0.00000