(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMTH10H032LPSW-13
Изображение служит лишь для справки
DMTH10H032LPSW-13
-
Diodes
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Date Sheet
Lagernummer 2436
- 1+： $0.68873
- 10+： $0.64975
- 100+： $0.61297
- 500+： $0.57827
- 1000+： $0.54554
Zwischensummenbetrag $0.68873
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：PowerDI5060-8 (Type UX)
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：DMTH10
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Diodes Incorporated
- Максимальная мощность рассеяния：3.4W (Ta), 68W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：32mOhm @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：683 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.9 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2436
- 1+： $0.68873
- 10+： $0.64975
- 100+： $0.61297
- 500+： $0.57827
- 1000+： $0.54554
Итого $0.68873
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
