Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:Nonstandard
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:-
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Частотно-самоотражающий:-
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Индуктивность частотный тест:100 kHz
  • Mfr:Central Technologies
  • Состояние продукта:Active
  • Материал-ядерка:-
  • Ток - насыщения (Isat):2A
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:UF630L-TN3-R
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Unisonic Technologies Co Ltd
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
  • Ранг риска:5.63
  • Код упаковки компонента:TO-252
  • Максимальный ток утечки (ID):9 A
  • Рабочая температура:-40°C ~ 125°C
  • Серия:CTSLF0645TF
  • Размер / Размерность:0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
  • Допуск:±30%
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:-
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Экранирование:Shielded
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:4
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Индуктивность:4.7 µH
  • ДЦР-опор:26.5mOhm
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Количество @ Частота:-
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-252
  • Максимальный сливовой ток (ID):9 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.4 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:36 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:200 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):150 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):46 W
  • Характеристики:-
  • Высота сидения (макс.):0.189 (4.80mm)
  • Оценки:-

Со склада 0

Итого $0.00000