VN1116N2

Name: STMicroelectronics VN1116N2
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.8 (19 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Mfr：Panduit Corp
Состояние продукта：Obsolete
Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Ранг риска：5.4
Максимальный ток утечки (ID)：1 A
Код цикла жизни компонента：Active
Количество элементов：1
Производитель：Microchip Technology Inc
Форма упаковки：ROUND
Артикул Производителя：VN1116N2
Рохс Код：No
Температура работы-Макс：150 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：METAL
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Серия：-
Код JESD-609：e0
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-39
Максимальный сливовой ток (ID)：1 A
Сопротивление открытого канала-макс：3 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：160 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：4 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：30 pF

Со склада 0

Итого $0.00000