Изображение служит лишь для справки
BZT52C22K
- Taiwan Semiconductor
- Неклассифицированные
- Axial, Can
- SOD-523F 200mW 5% Small Signal Zener Diode
- Date Sheet
Lagernummer 27
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:Axial, Can
- Монтаж:Surface Mount
- Количество контактов:2
- Площадка под поверхностное монтажное соединение:-
- Пакет:Bulk
- Mfr:KEMET
- Состояние продукта:Active
- Номинальное напряжение:63 V
- Срок жизни @ Темп:2000 Hrs @ 125°C
- Пороговая напряжённость / В:51 V
- Обратная напряженность отстоя:43.6 V
- Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС:Non-Compliant
- Рабочая температура:-40°C ~ 125°C
- Серия:PEG124
- Размер / Размерность:0.394 Dia x 0.787 L (10.00mm x 20.00mm)
- Допуск:-10%, +30%
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Применение:General Purpose
- Капацитивность:10 µF
- Максимальная потеря мощности:200 mW
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление):5.9Ohm @ 100Hz
- Расстояние между выводами:-
- Поларизация:Polar
- Импеданс:55 Ω
- Конфигурация элемента:Single
- Ток пульсации при низкой частоте:76 mA @ 100 Hz
- Распад мощности:200 mW
- Ток пульсации @ высокой частоте:350 mA @ 5 kHz
- Максимальный обратный ток утечки:1 µA
- Уровень задержки:70.1 V
- Пиковый импульсный ток:21.4 A
- Максимальная импульсная мощность:1.5 kW
- Ток испытания:2 mA
- Напряжение включения:1 V
- Напряжение Зенера:22 V
- Время обратной рекомпенсации:50 ns
- Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм):250 V
- Максимальное напряжение разрушения:53.6 V
- Максимальный передний импульсный ток (Ifsm):2.5 A
- Максимальная температура перехода (Тj):150 °C
- Минимальная разрушающая напряжение:48.5 V
- Высота сидения (макс.):-
- Ширина:900 µm
- Высота:700 µm
- Длина:1.3 mm
- Оценки:-
Со склада 27
Итого $0.00000