(0)
Изображение служит лишь для справки
SG2013J
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 16-CDIP (0.300, 7.62mm)
- DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：16-CDIP (0.300, 7.62mm)
- Поставщик упаковки устройства：16-CERDIP
- Пакет：Tray
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
- Основной номер продукта：SG2013
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 125 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：900
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Рабочая температура：-55°C ~ 125°C (TA)
- Серия：-
- Подкатегория：Transistors
- Выводной тип：Open Collector
- Конфигурация：Array 7
- Мощность - Макс：-
- Тип продукта：Darlington Transistors
- Тип транзистора：7 NPN Darlington
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：900 @ 500mA, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：-
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.9V @ 600µA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：-
- Категория продукта：Darlington Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
