Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DTC123JKAFRAT146
-
ROHM Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- Trans Digital BJT NPN 10V 100mA 3-Pin SMT T/R (Alt: DTC123JKAFRAT146)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):250 MHz
- Артикул Производителя:DTC123JKAFRAT146
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:ROHM Semiconductor
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:ROHM CO LTD
- Ранг риска:5.79
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
- Подкатегория:BIP General Purpose Small Signal
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.2 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):80
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
Со склада 0
Итого $0.00000