(0)
Изображение служит лишь для справки
JANS2N5796UC
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-SMD, No Lead
- Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства：UC
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：5 W
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip / Microsemi
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：300 at 150 mA, 10 V
- РХОС：N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-65°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/496
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Dual
- Мощность - Макс：600mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：2 PNP (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
- Прямоходящий ток коллектора：600 mW
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
