Изображение служит лишь для справки
E28F004BX-B120
- Intel
- Память
- -
- Contact for details
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:40
- Описание пакета:20 X 10 MM, TSOP-40
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Количество кодовых слов:512000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:TSSOP40,.8,20
- Время доступа-максимум:120 ns
- Температура работы-Макс:70 °C
- Артикул Производителя:E28F004BX-B120
- Количество слов:524288 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Код пакета:SON
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Intel Corporation
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INTEL CORP
- Ранг риска:8.34
- Код упаковки компонента:TSOP
- Код ECCN:EAR99
- Тип:NOR TYPE
- Дополнительная Характеристика:BOTTOM BOOT BLOCK
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.51
- Подкатегория:Flash Memories
- Технология:MOS
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.5 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:40
- Код JESD-30:R-PDSO-N40
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.25 V
- Блоки питания:5 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):4.75 V
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.065 mA
- Организация:512KX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:8
- Ток ожидания-макс:0.0000012 A
- Плотность памяти:4194304 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип микросхемы памяти:FLASH
- Программирование напряжения:12 V
- Продолжительность:100000 Write/Erase Cycles
- Опрос данных:NO
- Бит переключения:NO
- Пользовательский интерфейс команд:YES
- Количество секторов/Размер:1,2,1,3
- Размер сектора:16K,8K,96K,128K
- Блок запуска:BOTTOM
- Ширина:10 mm
- Длина:18.4 mm
Со склада 0
Итого $0.00000