EMF18T2R

Name: ROHM Semiconductor EMF18T2R
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.8 (6 reviews)

ROHM Semiconductor
Неклассифицированные
SOT-563, SOT-666
Dual Transistor (Combination of Digital BJT and GP BJT) 6-Pin EMT
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Поставщик упаковки устройства：EMT6
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：68
РХОС：Compliant
Пакет：Tape & Reel (TR)
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA, 150mA
Основной номер продукта：EMF18
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：10
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
Артикул Производителя：EMF18T2R
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：ROHM Semiconductor
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：ROHM CO LTD
Ранг риска：5.77
Код упаковки компонента：SC-107
Серия：-
Код JESD-609：e2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN COPPER
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：6
Код JESD-30：R-PDSO-F6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：PNP
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Конфигурация элемента：Dual
Мощность - Макс：150mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
Тип транзистора：1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA, 100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
Частота - Переход：250MHz, 140MHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.15 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：68
База (R1)：47kOhms
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47kOhms
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V

Со склада 0

Итого $0.00000