Изображение служит лишь для справки
K4M563233E-ME80
- Samsung
- Неклассифицированные
- -
- French Electronic Distributor since 1988
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:90
- РХОС:Non-Compliant
- Форма упаковки:GRID ARRAY, FINE PITCH
- Количество кодовых слов:8000000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:BGA90,9X15,32
- Минимальная температура работы:-25 °C
- Время доступа-максимум:6 ns
- Температура работы-Макс:85 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:K4M563233E-ME80
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):125 MHz
- Количество слов:8388608 words
- Код пакета:FBGA
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.83
- Код JESD-609:e0
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория:DRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Шаг выводов:0.8 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PBGA-B90
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Блоки питания:3/3.3 V
- Градация температуры:OTHER
- Максимальный ток подачи:0.32 mA
- Организация:8MX32
- Ширина памяти:32
- Ток ожидания-макс:0.0012 A
- Плотность памяти:268435456 bit
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:SYNCHRONOUS DRAM
- Обновляющие циклы:4096
- Секвентальный длина импульса:1,2,4,8,FP
- Межстрочный длина пакета:1,2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000