Изображение служит лишь для справки

K4M563233E-ME80

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:90
  • РХОС:Non-Compliant
  • Форма упаковки:GRID ARRAY, FINE PITCH
  • Количество кодовых слов:8000000
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Код эквивалентности пакета:BGA90,9X15,32
  • Минимальная температура работы:-25 °C
  • Время доступа-максимум:6 ns
  • Температура работы-Макс:85 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:K4M563233E-ME80
  • Частота часовного генератора макс. (fCLK):125 MHz
  • Количество слов:8388608 words
  • Код пакета:FBGA
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Samsung Semiconductor
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
  • Ранг риска:5.83
  • Код JESD-609:e0
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Подкатегория:DRAMs
  • Технология:CMOS
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:BALL
  • Шаг выводов:0.8 mm
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:R-PBGA-B90
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Блоки питания:3/3.3 V
  • Градация температуры:OTHER
  • Максимальный ток подачи:0.32 mA
  • Организация:8MX32
  • Ширина памяти:32
  • Ток ожидания-макс:0.0012 A
  • Плотность памяти:268435456 bit
  • Тип ввода/вывода:COMMON
  • Тип микросхемы памяти:SYNCHRONOUS DRAM
  • Обновляющие циклы:4096
  • Секвентальный длина импульса:1,2,4,8,FP
  • Межстрочный длина пакета:1,2,4,8

Со склада 0

Итого $0.00000