(0)
Изображение служит лишь для справки
MMBFJ176
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - JFET
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Date Sheet
Lagernummer 18000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
- Срок поставки от производителя：42 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Вес：30mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пороговая напряжённость / В：30V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
- Максимальная потеря мощности：225mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：25mA
- Основной номер части：MBFJ176
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Распад мощности：225mW
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：-25mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
- Сопротивление стока к истоку：250Ohm
- Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)：2mA @ 15V
- Ток-отсечка (VGS off) @ Id：1V @ 10nA
- Сопротивление - RDS(на)：250Ohm
- Высота：930μm
- Длина：2.92mm
- Ширина：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 18000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
