Изображение служит лишь для справки
TSM80N950CH
- Taiwan Semiconductor
- Неклассифицированные
- -
- Single, N-Channel, Super Junction MOSFET, 691pF, 800V
- Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
- Пороговая напряжённость / В:51 V
- Обратная напряженность отстоя:24 V
- Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС:Non-Compliant
- Производитель:TAIWAN SEMICONDUCTOR
- Пакетирование:TO-251 (I-PAK)
- Капацитивность:Ciss - 691pF
- Каналов количество:2
- Напряжение:VDS - 800V
- Распад мощности:200 mW
- Максимальный обратный ток утечки:1 µA
- Уровень задержки:70.1 V
- Пиковый импульсный ток:21.4 A
- Максимальная импульсная мощность:1.5 kW
- Ток испытания:2.5 mA
- Напряжение стока-исток (Vdss):800 V
- Напряжение включения:1 V
- Напряжение Зенера:75 V
- Время обратной рекомпенсации:50 ns
- Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм):250 V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):3 V
- Входной ёмкости:691 pF
- Максимальное напряжение разрушения:9.8 V
- Максимальный передний импульсный ток (Ifsm):2.5 A
- Максимальная температура перехода (Тj):150 °C
- Минимальная разрушающая напряжение:25.4 V
Со склада 18
Итого $0.00000