Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

TSM80N950CH

Lagernummer 18

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
  • Пороговая напряжённость / В:51 V
  • Обратная напряженность отстоя:24 V
  • Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
  • РХОС:Non-Compliant
  • Производитель:TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Пакетирование:TO-251 (I-PAK)
  • Капацитивность:Ciss - 691pF
  • Каналов количество:2
  • Напряжение:VDS - 800V
  • Распад мощности:200 mW
  • Максимальный обратный ток утечки:1 µA
  • Уровень задержки:70.1 V
  • Пиковый импульсный ток:21.4 A
  • Максимальная импульсная мощность:1.5 kW
  • Ток испытания:2.5 mA
  • Напряжение стока-исток (Vdss):800 V
  • Напряжение включения:1 V
  • Напряжение Зенера:75 V
  • Время обратной рекомпенсации:50 ns
  • Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм):250 V
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):3 V
  • Входной ёмкости:691 pF
  • Максимальное напряжение разрушения:9.8 V
  • Максимальный передний импульсный ток (Ifsm):2.5 A
  • Максимальная температура перехода (Тj):150 °C
  • Минимальная разрушающая напряжение:25.4 V

Со склада 18

Итого $0.00000