GT10J311

Name: Toshiba GT10J311
Brand: Toshiba
Rating: 4.8 (8 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Время включения (тон)：400 ns
Время отключения (toff)：500 ns
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：GT10J311
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Ранг риска：5.28
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальная потеря мощности (абс.)：80 W
Максимальный ток коллектора (IC)：10 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
Максимальное напряжение на выходе：2.7 V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8 V
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：80 W
Время падения максимальное (tf)：300 ns

Со склада 0

Итого $0.00000