(0)
Изображение служит лишь для справки
HUF75339S3
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.3
- Максимальный ток утечки (ID)：70 A
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：HUF75339S3
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-262AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.012 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
