Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
HN2S02JE
Lagernummer 8000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:5
- Описание пакета:R-PDSO-F5
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:1-2W1B
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:125 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:HN2S02JE
- Максимальная мощность рассеяния:0.1 W
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:5.59
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:HIGH SPEED SWITCH
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.70
- Подкатегория:Other Diodes
- Технология:SCHOTTKY
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:5
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс:0.1 A
- Максимальное обратное напряжение:45 V
- Максимальный обратный ток:5 µA
- Обратная тестовая напряжение:40 V
Со склада 8000
Итого $0.00000