Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
HSK120TR-E
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Описание пакета:O-LELF-R2
- Форма упаковки:LONG FORM
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Максимальная температура рефлоу:20
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:HSK120TR-E
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:RENESAS TECHNOLOGY CORP
- Ранг риска:5.58
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN BISMUTH
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.70
- Положение терминала:END
- Форма вывода:WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-LELF-R2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Выводная мощность-макс:0.15 A
- Время обратной восстановительной максимальная:0.003 µs
Со склада 0
Итого $0.00000