Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
HF220-50
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Артикул Производителя:HF220-50
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:Advanced Semiconductor Inc
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ASI SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.09
- Код ECCN:EAR99
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:RADIAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:O-CRFM-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:EMITTER
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.):320 W
- Максимальный ток коллектора (IC):12 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):15
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:55 V
- Частотная полоса наивысшего режима:VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс:390 pF
Со склада 0
Итого $0.00000