Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
2SC3785
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:End Of Life
- Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска:5.5
- Код упаковки компонента:SIP
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):180 MHz
- Артикул Производителя:2SC3785
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:ON Semiconductor
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальный ток коллектора (IC):2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):1000
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
Со склада 0
Итого $0.00000