(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFS650A
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：IRFS650A
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.35
- Код упаковки компонента：TO-220F
- Максимальный ток утечки (ID)：15.8 A
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：16 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.085 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：63 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：666 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：50 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
