Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
  • Форма упаковки:CYLINDRICAL
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:IRFF113
  • Форма упаковки:ROUND
  • Производитель:International Rectifier
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Ранг риска:8.14
  • Максимальный ток утечки (ID):3 A
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:WIRE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:O-MBCY-W3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-205AF
  • Максимальный сливовой ток (ID):3 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.8 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:12 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:80 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):15 W

Со склада 0

Итого $0.00000