Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IPD60R600P7
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- -
- N-CH 600V 6A 600mOhm DPAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IPD60R600P7
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.62
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс:0.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:16 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):17 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000