Изображение служит лишь для справки






IPW60R145CFD7
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- -
- N-CH 650V 58A 145mOhm TO-247-3
Date Sheet
Lagernummer 29
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IPW60R145CFD7
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:2.29
- Максимальный ток утечки (ID):16 A
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-247
- Максимальный сливовой ток (ID):16 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.145 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:58 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):68 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):83 W
Со склада 29
Итого $0.00000