(0)
Изображение служит лишь для справки
IRG7S319UPBF
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- -
- IGBT Transistors 330V 15A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：41 ns
- Время отключения (toff)：298 ns
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IRG7S319UPBF
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：International Rectifier
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска：5.03
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN OVER NICKEL
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Максимальная потеря мощности (абс.)：96 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：45 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：330 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：30 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：4.7 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
