Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IRHM7230PBF
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- -
- FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:METAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IRHM7230PBF
- Форма упаковки:SQUARE
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.69
- Максимальный ток утечки (ID):9 A
- Дополнительная Характеристика:RADIATION HARDENED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:S-MSFM-P3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-254AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.49 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:36 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):330 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000