K6T8008C2M-TB70

Name: Samsung K6T8008C2M-TB70
Brand: Samsung
Rating: 4.5 (15 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：44
Описание пакета：TSOP2, TSOP44,.46,32
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Количество кодовых слов：1000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：TSOP44,.46,32
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：70 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：K6T8008C2M-TB70
Количество слов：1048576 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
Код пакета：TSOP2
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.92
Код упаковки компонента：TSOP2
Код JESD-609：e0
Код ECCN：3A991.B.2.A
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Подкатегория：SRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：44
Код JESD-30：R-PDSO-G44
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
Блоки питания：5 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.5 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.07 mA
Организация：1MX8
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：8
Плотность памяти：8388608 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：2 V
Ширина：10.16 mm
Длина：18.41 mm

Со склада 0

Итого $0.00000