(0)
Изображение служит лишь для справки
K4R441869A-MCG6
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：62
- Описание пакета：VBGA, BGA62,12X9,40/32
- Форма упаковки：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
- Количество кодовых слов：8000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA62,12X9,40/32
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：53.3 ns
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K4R441869A-MCG6
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：600 MHz
- Количество слов：8388608 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：2.5 V
- Код пакета：VBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.92
- Код упаковки компонента：BGA
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：SELF CONTAINED REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.24
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：62
- Код JESD-30：R-PBGA-B62
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：2.63 V
- Блоки питания：1.8/2.5,2.5 V
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.37 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Организация：8MX18
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：1 mm
- Ширина памяти：18
- Плотность памяти：150994944 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：RAMBUS DRAM
- Обновляющие циклы：16384
- Режим доступа：BLOCK ORIENTED PROTOCOL
- Обратный контактный порядок：YES
- Автоперезапись：YES
- Ширина：10.2 mm
- Длина：12 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
