KM29N32000TS

Name: Samsung KM29N32000TS
Brand: Samsung
Rating: 4.9 (14 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：40
Описание пакета：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Количество кодовых слов：4000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：TSOP40/44,.46,32
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：35 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：KM29N32000TS
Количество слов：4194304 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
Код пакета：TSOP2
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.92
Код упаковки компонента：TSOP2
Код JESD-609：e0
Код ECCN：3A991.B.1.A
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8542.32.00.51
Подкатегория：Flash Memories
Технология：CMOS
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：44
Код JESD-30：R-PDSO-G40
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
Блоки питания：5 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.5 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.04 mA
Организация：4MX8
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：8
Ток ожидания-макс：0.0001 A
Плотность памяти：33554432 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：FLASH
Программирование напряжения：5 V
Опрос данных：NO
Бит переключения：NO
Пользовательский интерфейс команд：YES
Количество секторов/Размер：512
Размер сектора：8K
Размер страницы：512 words
Готов/Занят：YES
Ширина：10.16 mm
Длина：18.41 mm

Со склада 0

Итого $0.00000