(0)
Изображение служит лишь для справки
K9E2G08U0M-FIB00
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- VSSOP,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：48
- Описание пакета：VSSOP,
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：256000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：30 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：K9E2G08U0M-FIB00
- Количество слов：268435456 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：VSSOP
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.84
- Код упаковки компонента：SOIC
- Код JESD-609：e6
- Код ECCN：3A991.B.1.A
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Дополнительная Характеристика：CONTAINS ADDITIONAL 64M BIT SPARE MEMORY
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.51
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.5 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：48
- Код JESD-30：R-PDSO-G48
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.7 V
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Организация：256MX8
- Максимальная высота посадки：0.7 mm
- Ширина памяти：8
- Плотность памяти：2147483648 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：FLASH
- Программирование напряжения：2.7 V
- Ширина：12 mm
- Длина：15.4 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
