(0)
Изображение служит лишь для справки
KM718FV4022H7
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：119
- Описание пакета：BGA, BGA119,7X17,50
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Количество кодовых слов：256000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA119,7X17,50
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：7 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：KM718FV4022H-7
- Количество слов：262144 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：BGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.92
- Код упаковки компонента：BGA
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：119
- Код JESD-30：R-PBGA-B119
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.45 V
- Блоки питания：2.5,3.3 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.15 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.5 mA
- Организация：256KX18
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：18
- Ток ожидания-макс：0.06 A
- Плотность памяти：4718592 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：3.15 V
- Включение вывода：YES
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
