1N3312B

Name: Microsemi Corporation 1N3312B
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.7 (5 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Срок поставки от производителя：30 Weeks
Монтаж：Chassis, Stud
Вид крепления：Chassis, Stud Mount
Корпус / Кейс：DO-203AB, DO-5, Stud
Количество контактов：2
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：1
Рабочая температура：-65°C~175°C
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：1999
Допуск：±5%
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：1
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Максимальная потеря мощности：50W
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：SOLDER LUG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：1N3312
Число контактов：1
Код JESD-30：O-MUPM-D1
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：UNIDIRECTIONAL
Импеданс：1.1Ohm
Конфигурация элемента：Single
Тип диода：ZENER DIODE
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：10μA @ 9.9V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：1.5V @ 10A
Сокетная связка：ANODE
Максимальный обратный ток утечки：10μA
Импеданс-Макс：1.1Ohm
Ссылочное напряжение：13V
Напряжение Зенера：13V
Допустимый напряжений предел：5%
Тестовая рабочая токовая струя：960mA
Корпусировка на излучение：Yes
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000