Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
MGFK25V4045
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:GALLIUM ARSENIDE
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Температура работы-Макс:175 °C
- Артикул Производителя:MGFK25V4045
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Mitsubishi Electric
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Ранг риска:5.76
- Максимальный ток утечки (ID):0.08 A
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):0.3 A
- Минимальная напряжённость разрушения:8 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Частотная полоса наивысшего режима:KU BAND
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:2.7 W
Со склада 0
Итого $0.00000