Изображение служит лишь для справки
630AT
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Date Sheet
Lagernummer 29
- 1+： $1.12027
- 10+： $1.05686
- 100+： $0.99704
- 500+： $0.94060
- 1000+： $0.88736
Zwischensummenbetrag $1.12027
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：83W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：250mOhm @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：509 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.8 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 29
- 1+： $1.12027
- 10+： $1.05686
- 100+： $0.99704
- 500+： $0.94060
- 1000+： $0.88736
Итого $1.12027
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты