Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPF010N04NF2SATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPF010N04NF2SATMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- TRENCH <= 40V
- Date Sheet
Lagernummer 839
- 1+: $1.62465
- 10+: $1.53269
- 100+: $1.44594
- 500+: $1.36409
- 1000+: $1.28688
Zwischensummenbetrag $1.62465
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO263-7-U02
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:IPF010
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:46A (Ta), 289A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.1 V
- Распад мощности:250 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:159 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:289 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:StrongIRFET™2
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.4V @ 189µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:11300 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:239 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 839
- 1+: $1.62465
- 10+: $1.53269
- 100+: $1.44594
- 500+: $1.36409
- 1000+: $1.28688
Итого $1.62465