Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHA155N60EF-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHA155N60EF-GE3
- Vishay
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
- Date Sheet
Lagernummer 1881
- 1+: $3.34177
- 10+: $3.15262
- 100+: $2.97417
- 500+: $2.80582
- 1000+: $2.64700
Zwischensummenbetrag $3.34177
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства:TO-220 Full Pack
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:SIHA155
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:9A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Vishay Siliconix
- Максимальная мощность рассеяния:33W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:5 V
- Распад мощности:33 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:25 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:136 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:9 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:EF
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:89mOhm @ 3.7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1465 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:38 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 1881
- 1+: $3.34177
- 10+: $3.15262
- 100+: $2.97417
- 500+: $2.80582
- 1000+: $2.64700
Итого $3.34177