Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDP55N06
Изображение служит лишь для справки
FDP55N06
- Fairchild
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-220-3
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:55A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния:114W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:UniFET™
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:22mOhm @ 27.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1510 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:37 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 0
Итого $0.00000