Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UJ4SC075005L8S
Изображение служит лишь для справки
UJ4SC075005L8S
- UnitedSiC
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- 750V/5MO,SICFET,G4,TOLL
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства:TOLL
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:UJ4SC075
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:120A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
- Mfr:UnitedSiC
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:750 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:6 V
- Распад мощности:1.153 kW
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:164 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:120 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:SiCFET (Silicon Carbide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:P-Channel
- Втс(th) (Макс) @ Id:6V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:8374 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:164 nC @ 15 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):750 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 0
Итого $0.00000