Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MCB70N10YA-TP
Изображение служит лишь для справки
MCB70N10YA-TP
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
- Распад мощности：125 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：42 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：8.8 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：70 A
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
Со склада 14
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты