(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SICW1000N170A-BP
Изображение служит лишь для справки
SICW1000N170A-BP
-
Micro Commercial Components
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Date Sheet
Lagernummer 352
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Id - Непрерывный ток разряда：3 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.69 Ohms
- Зарядная характеристика ворот：15.5 nC
- Режим канала：Enhancement
- Монтажные варианты：Through Hole
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Усв：- 5 V, + 25 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Полярность транзистора：N-Channel
- Распад мощности：69 W
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.5 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.7 kV
- Технология：SiC
- Каналов количество：1 Channel
Со склада 352
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
