(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IQD020N10NM5CGATMA1
Изображение служит лишь для справки
IQD020N10NM5CGATMA1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-TTFN-9
- MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 5467
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：PG-TTFN-9
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.8 V
- Распад мощности：333 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：107 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.05 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：273 A
Со склада 5467
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
