RB521S30T1G

Name: ON Semiconductor RB521S30T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (7 reviews)

Lagernummer 395758

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：12 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-79, SOD-523
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：2
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：125°C
Минимальная температура работы：-55°C
Код ТН ВЭД：8541.10.00.70
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：RB521S30
Число контактов：2
Направленность：Standard
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Тип диода：Schottky
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：30μA @ 10V
Распад мощности：200mW
Ток выпуска：200mA
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：500mV @ 200mA
Напряжённая мощность：200mA
Максимальный обратный ток утечки：30μA
Температура работы - переходная：-55°C~125°C
Максимальный импульсный ток：1A
Ток - Средний прямоугольный：200mA DC
Напряжение включения：500mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：30V
Средний выпрямленный ток：200mA
Пиковая обратная токовая сила：30μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：30V
Пиковый нерегулярный импульсный ток：1A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：1A
Высота：700μm
Длина：1.3mm
Ширина：900μm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 395758

Итого $0.00000