MUR8100EG

Name: ON Semiconductor MUR8100EG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (13 reviews)

Lagernummer 49150

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：15 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-2
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：2
Вес：4.535924g
Материал диодного элемента：SILICON
Пороговая напряжённость / В：1kV
Количество элементов：1
Пакетирование：Tube
Серия：SWITCHMODE™
Опубликовано：1999
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-65°C
Применение：ULTRA FAST RECOVERY POWER
Дополнительная Характеристика：FREE WHEELING DIODE
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Ток постоянного напряжения - номинальный：1kV
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：8A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MUR8100
Число контактов：2
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：25μA @ 1000V
Ток выпуска：8A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：1.8V @ 8A
Сокетная связка：CATHODE
Напряжённая мощность：8A
Температура работы - переходная：-65°C~175°C
Максимальный импульсный ток：100A
Максимальное обратное напряжение (Вр)：1000V
Напряжение включения：1.8V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：1kV
Средний выпрямленный ток：8A
Количество фаз：1
Время обратной рекомпенсации：100 ns
Пиковая обратная токовая сила：25μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：1kV
Пиковый нерегулярный импульсный ток：100A
Обратная напряжение：1kV
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：100A
Время восстановления：100 ns
Высота：9.27mm
Длина：10.29mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 49150

Итого $0.00000