1N5809

Name: Microsemi Corporation 1N5809
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.7 (8 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Покрытие контактов：Lead, Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：B, Axial
Количество контактов：2
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：1
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-65°C
Применение：ULTRA FAST RECOVERY
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：2
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：5μA @ 100V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：875mV @ 4A
Сокетная связка：ISOLATED
Напряжённая мощность：6A
Температура работы - переходная：-65°C~175°C
Выводная мощность-макс：3A
Напряжение включения：875mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：100V
Средний выпрямленный ток：3A
Количество фаз：1
Время обратной рекомпенсации：30 ns
Пиковая обратная токовая сила：5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：100V
Емкость @ Vr, Ф：60pF @ 10V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток：125A
Корпусировка на излучение：Yes
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 0

Итого $0.00000