(0)
Изображение служит лишь для справки
SKB02N120ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Условия испытания：800V, 2A, 91 Ω, 15V
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：62W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：62W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Без галогенов：Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：6.2A
- Время обратной рекомпенсации：50 ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：40 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.6V @ 15V, 2A
- Время выключения (toff)：375 ns
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：11nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：9.6A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：23ns/260ns
- Переключаемый энергопотребление：220μJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
