(0)
Изображение служит лишь для справки
STGWA30M65DF2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Date Sheet
Lagernummer 356
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Условия испытания：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：258W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STGWA30
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：258W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2V
- Максимальный ток сбора：60A
- Время обратной рекомпенсации：140 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 30A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：80nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：31.6ns/115ns
- Переключаемый энергопотребление：300μJ (on), 960μJ (off)
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 356
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
