IRGS6B60KDPBF

Name: Infineon Technologies IRGS6B60KDPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (16 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 1

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 5A, 100 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：90W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：13A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：IRGS6B60KDPBF
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：90W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Время подъема：17ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.2V
Максимальный ток сбора：13A
Время обратной рекомпенсации：70 ns
Время включения：45 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.2V @ 15V, 5A
Время выключения (toff)：258 ns
Тип ИGBT：NPT
Зарядная мощность：18.2nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：26A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：25ns/215ns
Переключаемый энергопотребление：110μJ (on), 135μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5.5V
Время падения максимальное (tf)：27ns
Высота：4.699mm
Длина：10.668mm
Ширина：9.65mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1

Итого $0.00000