(0)
Изображение служит лишь для справки
IRG4BC30FDSTRRP
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT 600V 31A 100W D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 28
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Вес：260.39037mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：480V, 17A, 23 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Максимальная потеря мощности：100W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：100W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.8V
- Максимальный ток сбора：31A
- Время обратной рекомпенсации：42 ns
- Время включения：69 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.8V @ 15V, 17A
- Время выключения (toff)：620 ns
- Зарядная мощность：51nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：42ns/230ns
- Переключаемый энергопотребление：630μJ (on), 1.39mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 28
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
