![](https://static.whisyee.com/dimg/ixysintegratedcircuitsdivision-ixdi614ci-5223.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IXYP15N65C3
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-220-3
- IGBT 650V 38A 200W TO220
Date Sheet
Lagernummer 37
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:24 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Диэлектрический пробой напряжение:650V
- Условия испытания:400V, 15A, 20 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:GenX3™, XPT™
- Опубликовано:2014
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности:200W
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:200W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.5V
- Максимальный ток сбора:38A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 15A
- Тип ИGBT:PT
- Зарядная мощность:19nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):80A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:15ns/68ns
- Переключаемый энергопотребление:270μJ (on), 230μJ (off)
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 37
Итого $0.00000